Samsung Electronics esitteli tänään uudet Samsung 850 EVO SSD -asemat, jotka on valmistettu vallankumouksellisella 3-bittisellä 3D V-NAND -tekniikalla. Muistimarkkinajohtajan työpajan uusimmat kiintolevyt parantavat merkittävästi suorituskykyä ja kestävyyttä edeltäjiinsä verrattuna, joten ne soveltuvat käytettäväksi tavallisissa tietokoneissa. Markkinoillemme voi olla ilo, että Samsung aloittaa niiden myynnin jo tässä kuussa 53 maassa Euroopassa, Aasiassa ja myös Yhdysvalloissa.
Yhtiö esitteli jo tämän vuoden heinä-heinäkuussa Samsung 850 PRO SSD-asemat, joissa käytettiin 2-bittistä 3D V-NAND -tekniikkaa, mutta nämä asemat oli tarkoitettu ensisijaisesti ammattikäyttöön huippuluokan tietokoneissa tai pienissä ja keskikokoisissa tietokoneissa. yrityksen palvelimia. Uusimmat 850 EVO-asemat sopivat kuitenkin jo tavallisten kuluttajien käyttöön, kuten kannettaviin ja pelitietokoneisiin. Samsung sanoo, että Samsung 850 EVO -asemia myydään 120 Gt, 250 Gt, 500 Gt ja 1 Tt:n versioina. Levyjen lukunopeus on 540 MB/s ja kirjoitusnopeus 520 MB/s.
1 Tt:n muistiversiossa on myös TurboWrite-tekniikka, joka varmistaa jopa 90 80 IOPS:n satunnaisen kirjoitusnopeuden, mikä luo nopean tallennustilan moniajoa ja suuria tietomääriä varten. Samsung vakuuttaa, että sen uudet asemat kestävät 5 Gt:n tiedon kirjoittamista päivässä 1 vuoden ajan malleissa, joissa on 500 Tt ja 850 Gt:n kapasiteetti. Yhtiö paljasti vihdoin tulevaisuuden suunnitelmansa ja aikoo laajentaa 2 EVO -sarjaa uusilla malleilla mSATA- ja M.XNUMX-standardeille ensi vuonna.
// < 
// < 
