Samsung Electronics ilmoitti aloittaneensa edistyneimpien 4 Gt:n DDR8-muistimoduulien massatuotannon ja yhdessä niiden kanssa ensimmäisten yrityspalvelimiin tarkoitettujen 32 Gt:n DDR4 RAM -muistimoduulien valmistuksen. Nämä uudet RAM-muistit valmistetaan uudella 20 nm:n valmistusprosessilla, joka on sama prosessi, jota käytetään jopa edistyneimpien mobiiliprosessorien valmistuksessa. Samsung väittää, että nämä muistimoduulit täyttävät kaikki seuraavan sukupolven yrityspalvelimien korkean suorituskyvyn, tiheyden ja energiansäästön vaatimukset.
Lisäksi uusilla 8 Gb DDR4-moduuleilla Samsung viimeisteli koko 20 nm:n valmistusprosessilla valmistettujen DRAM-moduulien valikoiman. Nykyään tämä sarja sisältää 6Gb LPDDR3:n mobiililaitteille ja 4Gb DDR3-moduuleja tietokoneille. Sitten, kuten edellä mainittiin, Samsung alkaa tuottaa 32 Gt:n RDIMM-muistimoduuleja, jotka tarjoavat 2 400 Mbps:n siirtonopeuden nastaa kohti, mikä edustaa 29 %:n suorituskyvyn kasvua verrattuna palvelimen DDR1-muistin 866 3 Mbps:n siirtonopeuteen. Mutta tämän tekniikan ominaisuudet eivät lopu 32 Gt:iin, ja Samsung on todennut, että 3D TSV -tekniikalla on mahdollista kehittää jopa 128 Gt:n muistimoduuli. Uusien moduulien etuna on myös mainittu pienempi kulutus, sillä nämä DDR4-sirut vaativat 1,2 volttia, mikä on tällä hetkellä alhaisin mahdollinen jännite.
//
//
*Lähde: Samsung
