Samsung on jo jonkin aikaa yrittänyt kuroa kiinni kilpailijaansa puolijohdevalmistuksen alalla, taiwanilaista jättiläistä TSMC:tä. Viime vuonna sen puolijohdedivisioona Samsung Foundry ilmoitti aloittavansa 3 nm:n sirujen tuotannon tämän vuoden puolivälissä ja 2025 nm:n sirujen tuotannon vuonna 2. Nyt TSMC on myös julkistanut tuotantosuunnitelman 3 ja 2 nm siruilleen.
Fotogalerie
TSMC on paljastanut aloittavansa ensimmäisten 3 nm:n sirujen massatuotannon (N3-teknologialla) tämän vuoden toisella puoliskolla. Uuteen 3 nm:n prosessiin rakennettujen sirujen odotetaan julkaistavan ensi vuoden alussa. Puolijohdekolossi suunnittelee aloittavansa 2 nm:n sirujen tuotannon vuonna 2025. Lisäksi TSMC käyttää GAA FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) -teknologiaa 2 nm:n siruissaan. Samsung käyttää tätä myös jo 3nm siruihinsa, joita se aloittaa myöhemmin tänä vuonna. Tämän tekniikan odotetaan tuovan merkittäviä parannuksia energiatehokkuuteen.
Saatat olla kiinnostunut
TSMC:n edistyneitä valmistusprosesseja voisivat käyttää suuret teknologian toimijat, kuten Apple, AMD, Nvidia tai MediaTek. Jotkut heistä voivat kuitenkin käyttää myös Samsungin valimoita joihinkin siruihinsa.
