Samsungin kerrotaan kääntävän huomionsa nouseviin MRAM (Magneto-Resistive Random Access Memory) -muistimarkkinoihin tavoitteenaan laajentaa tämän tekniikan käyttöä muille aloille. Eteläkorealaisen median mukaan teknologiajätti toivoo, että sen MRAM-muistit löytävät tiensä muuallekin kuin esineiden internetiin ja tekoälyyn, kuten autoteollisuuteen, grafiikkamuistiin ja jopa puettavaan elektroniikkaan.
Samsung on työskennellyt MRAM-muistien parissa useita vuosia ja aloitti ensimmäisen kaupallisen ratkaisunsa massatuotannon tällä alueella vuoden 2019 puolivälissä. Se tuotti ne 28nm FD-SOI-prosessilla. Ratkaisulla oli rajallinen kapasiteetti, mikä on yksi tekniikan haitoista, mutta sitä kuulemma sovellettiin IoT-laitteisiin, tekoälysiruihin ja NXP:n valmistamiin mikrokontrollereihin. Sattumalta hollantilainen yritys voisi pian tulla osaksi Samsungia, jos se on teknologiajätti siirtyy eteenpäin uudella yritysostojen ja fuusioiden aallolla.
Analyytikot arvioivat, että MRAM-muistien maailmanmarkkinat ovat 2024 miljardia dollaria (noin 1,2 miljardia kruunua) vuoteen 25,8 mennessä.
Miten tämän tyyppiset muistit eroavat DRAM-muisteista? DRAM (kuten flash) tallentaa dataa sähkövarauksena, kun taas MRAM on haihtumaton ratkaisu, joka käyttää magneettisia tallennuselementtejä, jotka koostuvat kahdesta ferromagneettisesta kerroksesta ja ohuesta esteestä tietojen tallentamiseen. Käytännössä tämä muisti on uskomattoman nopea ja voi olla jopa 1000 kertaa nopeampi kuin eFlash. Osa tästä johtuu siitä, että sen ei tarvitse tehdä tyhjennysjaksoja ennen kuin se alkaa kirjoittaa uutta tietoa. Lisäksi se vaatii vähemmän virtaa kuin perinteiset tallennusvälineet.
Päinvastoin, tämän ratkaisun suurin haitta on jo mainittu pieni kapasiteetti, mikä on yksi syy, miksi se ei ole vielä tunkeutunut valtavirtaan. Tämä saattaa kuitenkin pian muuttua Samsungin uuden lähestymistavan myötä.
Saatat olla kiinnostunut
