Samsung aloitti tänään uusien DDR3 DRAM -moduulien massatuotannon 20 nanometrin valmistusprosessilla. Näiden uusien moduulien kapasiteetti on 4 Gt eli 512 Mt. Yksittäisten moduulien käytettävissä oleva muisti ei kuitenkaan ole niiden ensisijainen ominaisuus. Edistys on nimenomaan uuden tuotantoprosessin käytössä, mikä johtaa jopa 25 % pienempään energiankulutukseen verrattuna vanhempaan, 25 nanometrin prosessiin.
Siirtyminen 20 nm:n teknologiaan on myös viimeinen askel, joka erottaa yrityksen aloittamasta 10 nm:n prosessia käyttävien muistimoduulien tuotantoa. Uusissa moduuleissa tällä hetkellä käytetty tekniikka on myös markkinoiden edistyneintä ja sitä voidaan käyttää tietokoneiden lisäksi myös mobiililaitteiden kanssa. Tietokoneille tämä tarkoittaa, että Samsung pystyy nyt luomaan samankokoisia siruja, mutta huomattavasti suuremmalla käyttömuistilla. Samsungin oli myös muutettava olemassa olevaa tekniikkaansa pystyäkseen pienentämään siruja säilyttäen samalla nykyisen valmistusmenetelmän.
- Saatat olla kiinnostunut: Samsung on kehittänyt ensimmäisen 8 Gt:n LPDDR4-mobiili DRAM-muistin
